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张国义作“第三代半导体发展趋势和投融资分析”

2019-01-14 10:43 来源: 大照明 分享到:
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内容摘要:北京大学教授、北京大学东莞光电研究院常务副院长张国义作“第三代半导体发展趋势和投融资分析”。

 

北京大学教授、北京大学东莞光电研究院常务副院长张国义作“第三代半导体发展趋势和投融资分析”时表示,目前,国际半导体产业和装备巨头未形成第三代半导体专利、标准和规模的垄断,再加上中国市场的多元性和需求梯度,中国特有的“政产学研用”协同模式,以及中国精密加工制造和配套能力的迅速进步等优势,将成为中国企业进入第三代半导体技术的最佳窗口期。


张国义副院长还指出,半导体照明并购并非一定能达到1+1>2的效果,风险与机遇并存。未来,半导体值得关注的四大新动向包括“可见光通讯与定位”“MICRO-LED和激光显示”“深紫外光源与探测器”“生物光照与监控”。未来,第三代半导体(宽禁带半导体)将沿着以下三大方向发展:一是宽禁带半导体材料体系;二是制备技术包括衬底材料;三是市场空间巨大新的应用。

 

文章来源:大照明 作者:佚名
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